这期内容当中丸趣 TV 小编将会给大家带来有关基于 MRAM 和 NVMe 的未来云存储解决方案是怎样的,文章内容丰富且以专业的角度为大家分析和叙述,阅读完这篇文章希望大家可以有所收获。
在 2019 全球闪存峰会上,Everspin 作为全球 MRAM 存储芯片龙头分享如何用 MRAM 这类非易失性存储和 NVMe SSD 构建未来的云存储的解决方案。
首先 STT-MRAM 作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势:
1. 非易失性存储器芯片,比传统的 SRAM 或者 DRAM 在数据保持方面更强;
2. 芯片容量较大,单颗芯片容量高达 1Gb;
3. 采用 DDR4 接口,带宽可以到 2.7GB/s,超强性能;
4. 擦写次数几十亿次!生命周期;
5. 超低延迟;
6. 数据保存期很久:85 度高温下数据可以保存 10 年以上;
7. 数据错误率低;
8. 可靠性强。
MRAM 可应用在 NVMe SSD 的下列场景,PCIe SSD、NVMe-oF、全闪存阵列:
NVMe SSD 场景
MRAM 为 NVMe SSD,尤其是 QLC 做缓存有以下优势:
采用 MRAM 之后,NVMe SSD 内部的架构发生了以下图片的变化,将 MRAM 作为数据缓存使用,而 FTL 映射表存储依然是 DRAM:
NVMe-oF 场景
数据中心采用 NVMe-oF 有以下四大优势:
1. 实现低于 1 微秒的数据传输,跳过内核、跳过主机 CPU 和内存、可以 P2P 传输;
2. 把 CPU 计算任务分摊到专用计算芯片或者存储控制器;
3. 读写带宽更高;
4. 服务器可以更简单、省电,不用昂贵的 X86 CPU,用 ARM CPU 就够了。
以下图片是传统的 NVMe-oF 的数据流,要通过系统内存和 CPU 再进入 NVMe SSD,这样会导致读写延迟比较长。
如果采用了 MRAM 作为智能网卡上的缓存,数据就直接通过 P2P 传输给 NVMe SSD,并跳过了系统内存和 CPU,大大缩短读写延迟,也大幅提升性能。
MRAM 用在全闪存阵列
在全闪存阵列的存储控制器中,MRAM 可以作为缓存加速,并提升产品性能及可靠性,同时可以不需要额外的电池或者电容。
未来的数据中心存储长这样?
未来以 NVMe SSD 和 NVMe-oF 为基础的云存储硬件架构如下图,其中 MRAM 可以用在网卡缓存、NVDIMM、全闪存阵列加速和 NVMe SSD 内部。
Everspin 公司专业设计制造嵌入式 MRAM 和自旋传递扭矩 STT-MRAM 的领导者,其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要。在数据中心,云存储,能源,工业,汽车和运输市场中提供了超过 1.2 亿个 MRAM 和 STT-RAM 产品,为 MRAM 用户奠定了强大,增长快的基础。Everspin MRAM 可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。这使得 MRAM 适用于汽车,工业,军事和太空应用。Everspin 代理英尚微电子提供完善的产品解决方案及技术方面支持和指导.
上述就是丸趣 TV 小编为大家分享的基于 MRAM 和 NVMe 的未来云存储解决方案是怎样的了,如果刚好有类似的疑惑,不妨参照上述分析进行理解。如果想知道更多相关知识,欢迎关注丸趣 TV 行业资讯频道。